?BGA封裝特性?
BGA（球柵陣列）封裝通過(guò)底部矩陣式焊球?qū)崿F(xiàn)高密度互連，適用于高I/O需求的芯片。其核心優(yōu)勢(shì)在于縮小封裝體積、提升散熱性及電性能。
?引線鍵合（Wire Bonding）應(yīng)用場(chǎng)景?
雖然BGA封裝通常以焊球直接連接基板，但在某些復(fù)雜封裝中（如多芯片模塊或射頻組件），仍需通過(guò)引線鍵合實(shí)現(xiàn)芯片與基板的局部電氣連接。引線鍵合采用金線或銅線，通過(guò)熱超聲工藝實(shí)現(xiàn)微觀焊點(diǎn)形成，適用于高精度信號(hào)傳輸需求。
?工藝原理與優(yōu)勢(shì)?
?鎳層?：作為擴(kuò)散阻擋層，厚度控制在±0.03μm內(nèi)，防止銅遷移并提升焊盤附著力。
?鈀層?：0.05–0.15μm的活化層，減少鎳氧化，優(yōu)化焊料潤(rùn)濕性，提升焊點(diǎn)強(qiáng)度至45MPa以上（行業(yè)平均35MPa）。
?金層?：提供抗氧化表面，保障引線鍵合可靠性，適用于高密度金線鍵合場(chǎng)景。
?適配先進(jìn)封裝需求?
鎳鈀金工藝通過(guò)鍍層精度控制與環(huán)保優(yōu)化（如無(wú)氰鍍液），滿足BGA封裝對(duì)焊盤平整度、信號(hào)完整性及長(zhǎng)期可靠性的嚴(yán)苛要求。
?材料與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)?
?BT樹(shù)脂基材?：兼具高耐熱性（Tg≥180°C）與低介電常數(shù)（Dk≤3.5），適用于高頻信號(hào)傳輸。
?超薄多層設(shè)計(jì)?：支持40μm線寬/間距布線，滿足高密度互聯(lián)需求，適配3D封裝及混合鍵合技術(shù)。
?應(yīng)用場(chǎng)景?
該基板專為BGA、CSP等先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)，可承載高功耗芯片（如CPU/GPU），并通過(guò)銅柱凸塊實(shí)現(xiàn)低阻抗、高散熱性能。
?核心作用?
芯片載板為裸芯片提供機(jī)械支撐、電氣連接及熱管理，其高密度布線能力（線寬≤45μm）直接決定封裝集成度。
?技術(shù)門檻?
與傳統(tǒng)PCB相比，芯片載板需滿足更高精度（層間對(duì)位誤差≤3μm）、更低熱膨脹系數(shù)（CTE≤8ppm/°C）及更高信賴性（耐溫循環(huán)≥1000次）。
BGA封裝通過(guò)焊球矩陣實(shí)現(xiàn)高密度互連，搭配鎳鈀金工藝可優(yōu)化焊盤可靠性；三菱HL系列基板憑借BT樹(shù)脂與超薄設(shè)計(jì)，適配先進(jìn)封裝需求。在復(fù)雜封裝場(chǎng)景中，引線鍵合仍為關(guān)鍵局部互聯(lián)手段，鎳鈀金的精密鍍層控制保障其長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
